Dos científicos españoles e investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada, cuyos nombres son Noel Rodríguez y Francisco Gámiz, han investigado sobre un nuevo estándar en el almacenamiento digital y que han llamado memoria A-RAM del acrónimo «Advanced Random Access Memory»
Las bases de la memoria de acceso rápido, se han modificado muy poco desde su invención en los años 60 a cargo de Robert Dennard en IBM (EEUU), los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)”. Para ello dichas celdas de memoria DRAM están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.
El modelo de A-RAM lo que hace es eliminar el condensador, y almacena toda la información en el transistor, que también sirve el acceso a los datos. De este modo se consigue una memoria mucho más pequeña, con muy bajo consumo de energía.
